crf電漿清洗機(jī)在引線鍵合前必備的封裝領(lǐng)域設(shè)備：
        在干法清洗應(yīng)用中，plasma是必不可少的一部分。由于微電子技術(shù)的不斷發(fā)展，等離子體清洗其優(yōu)勢(shì)也日益顯著。半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)環(huán)節(jié)中，半導(dǎo)體晶圓芯片表面會(huì)存在各類(lèi)顆粒狀、金屬離子、有機(jī)化合物及殘余的磨料顆粒狀等沾污雜質(zhì)。為確保集成電路IC集成度和器件性能，必須在不破壞芯片及其他所用材料的表面特性、電特性的前提下，清洗去除芯片表面上的這些有害沾污雜質(zhì)物。

        否則，它們將對(duì)芯片性能造成致命影響和缺陷，極大地降低產(chǎn)品合格率，并將制約器件的進(jìn)一步發(fā)展。目前，器件生產(chǎn)中的幾乎每道工序都有清洗這一步驟，其目的是去除芯片表面沾污、雜質(zhì)，現(xiàn)廣泛應(yīng)用的物理化學(xué)清洗方法大致可分成濕法清洗和干法清洗兩類(lèi)，尤其是干法清洗發(fā)展很快，其中的等離子體清洗優(yōu)勢(shì)明顯，在半導(dǎo)體元器件及光電子元器件封裝領(lǐng)域
中獲得推廣應(yīng)用。
       crf電漿清洗機(jī)清洗在微電子封裝領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景，等離子體清洗技術(shù)的成功應(yīng)用依賴(lài)于工藝參數(shù)的優(yōu)化，包括過(guò)程壓力、等離子激發(fā)頻率和功率、時(shí)間和工藝氣體類(lèi)型、反應(yīng)腔室和電極的配置以及待清洗工件放置位置等。半導(dǎo)體后部生產(chǎn)工序中，由于指印、助焊劑、焊料、劃痕、沾污、微塵、樹(shù)脂殘跡、自熱氧化、有機(jī)化合物等，在器件和材料表面形成各類(lèi)沾污，這些沾污會(huì)明顯地影響封裝生產(chǎn)及產(chǎn)品質(zhì)量，利用等離子體清洗技術(shù)，能夠很容易清除掉生產(chǎn)環(huán)節(jié)中形成的這些分子水平的污染，從而顯著地改善封裝的可制造性、可靠性及成品率。
      在芯片、微電子機(jī)械系統(tǒng)MEMS封裝中，基板、基座與芯片之間有大量的引線鍵合，引線鍵合仍然是實(shí)現(xiàn)芯片焊盤(pán)與外引線連接的重要方式，如何提高引線鍵合強(qiáng)度一直是行業(yè)研究的問(wèn)題。射頻驅(qū)動(dòng)的低壓crf電漿清洗機(jī)是一種有效的、低成本的清潔方法，能夠有效地去除基材表面可能存在的污染物，例如氟化物、鎳的氫氧化物、有機(jī)溶劑殘留、環(huán)氧樹(shù)脂的溢出物、材料的氧化層，等離子清洗一下再鍵合，會(huì)顯著提高鍵合強(qiáng)度和鍵合引線拉力的均勻性，它對(duì)提高引線鍵合強(qiáng)度作用很大。在引線鍵合之前，氣體等離子體技術(shù)可以用來(lái)清洗芯片接點(diǎn)，改善結(jié)合強(qiáng)度及成品率。